當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
BCX 70H E6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
BCX 70K E6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
BC817K25E6327HTSA1
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
BC 817K-40 E6433
BCR 129 E6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 預(yu)偏(pian)置(zhi) NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 191 E6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 預(yu)偏(pian)置(zhi) PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 133 E6433
BCR 146 E6327
BCR 198 E6327
BC 847B E6433
BC 847C E6433
BC 848C E6327
BC848BE6327HTSA1
BSM300GA120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 300A SINGLE
BSM35GP120
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 35A PIM
BSM35GD120DN2E3224
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 1.2KV 50A
BDP949H6327XTSA1
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANSISTORS
BCM 856S H6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANSISTOR
BCR 523 E6327
BC 847S H6433
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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