ACS780LLRTR-100B-T

**雙(shuang)向(xiang)集(ji)成(cheng)霍(huo)爾(er)電(dian)流(liu)傳(zhuan)感(gan)器(qi)**，內(nei)置(zhi)銅(tong)質(zhi)電(dian)流(liu)通(tong)路(lu)，實(shi)現(xian)**電(dian)氣(qi)隔(ge)離(li)式(shi)交(jiao) / 直(zhi)流(liu)電(dian)流(liu)采(cai)樣(yang)**；輸(shu)出(chu)模(mu)擬(ni)電(dian)壓(ya)和(hu)流(liu)過(guo)芯(xin)片(pian)的(di)電(dian)流(liu)成(cheng)正(zheng)比(bi)，送(song)給(ji) MCU 的(di) ADC 做(zuo)電(dian)流(liu)監(jian)測(ce)、過(guo)流(liu)保(bao)護(hu)、功(gong)率(shuai)閉(bi)環(huan)控(kong)製(zhi)；自(zi)帶(dai)磁(ci)屏(bing)蔽(bi)，抑(yi)製(zhi)共(gong)模(mu)磁(ci)場(chang)幹(gan)擾(rao)，適(kuo)合(ge)高(gao)壓(ya)側(zhai)采(cai)樣(yang)。

5018761440

**線(xian)對(dui)板(pan)直(zhi)角(jue)（彎(wan)插(cha)）公(gong)針(zhen)座(zuo)**，2.0mm 間(jian)距(ju)雙(shuang)排(pai)，用(yong)於(yu) PCB 板(pan)和(hu)線(xian)束(shu)對(dui)接(jie)，實(shi)現(xian)電(dian)源(yuan)、數(shuo)字(zi)信(xin)號(hao)互(hu)連(lian)；帶(dai)絕(jue)緣(yuan)護(hu)罩(zhao)，防(fang)插(cha)錯(cuo)、防(fang)短(duan)路(lu)，是(shi)工(gong)控(kong)、模(mu)組(zu)、板(pan)內(nei)互(hu)連(lian)常(chang)用(yong)連(lian)接(jie)器(qi)。

6TPE100MAZB

**電(dian)源(yuan)軌(gui)高(gao)頻(pin)去(qu)耦(ou)、穩(wen)壓(ya)平(ping)滑(hua)、吸(xi)收(shou)紋(wen)波(bo)、抑(yi)製(zhi)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)**；聚(ju)合(ge)物(wu)介(jie)質(zhi)對(dui)比(bi)傳(zhuan)統(tong)二(er)氧(yang)化(hua)錳(meng)鉭(tan)電(dian)容(rong)，安(an)全(quan)性(xing)更(geng)高(gao)、不(bu)容(rong)易(yi)起(qi)火(huo)爆(bao)炸(zha)，適(kuo)合(ge) DC-DC 供(gong)電(dian)、CPU/MCU/FPGA、接(jie)口(kou)電(dian)源(yuan)等(deng)需(xu)要(yao)穩(wen)定(ding)低(di)阻(zu)抗(kang)供(gong)電(dian)的(di)場(chang)景(jing)，在(zai)負(fu)載(zai)快(kuai)速(su)跳(tiao)變(bian)時(shi)快(kuai)速(su)補(bu)流(liu)，降(xiang)低(di)電(dian)源(yuan)噪(zao)聲(sheng)。

IRFH7921TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC

IRFR220NTRLPBF

MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC

IRF7465TRPBF

MOSFET MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC

IRFR3707ZTRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC

IRLR9343TRPBF

MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC