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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> IPS05N03LB G詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

IPS05N03LB G相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

EVALICB2FL01GTOBO1

LED 照(zhao)明(ming)開(kai)發(fa)工(gong)具(ju) Evaluation board for fluorescent lamp ballast with smart ballast controller 2nd generation ICB 2FL01G for 1x54W T5 lamp.
EVALICB2FL02GTOBO1

LED 照(zhao)明(ming)開(kai)發(fa)工(gong)具(ju) Evaluation board for dimmable fluorescent lamp ballast with smart ballast controller 2nd generation ICB 2FL02G for 1x26W TC-TEL lamp.
EVALLEDICL5101E2TOBO1

LED 照(zhao)明(ming)開(kai)發(fa)工(gong)具(ju)
EVALLEDICL5101E1TOBO1

LED 照(zhao)明(ming)開(kai)發(fa)工(gong)具(ju)
EVALICB2FL03GTOBO1

LED 照(zhao)明(ming)開(kai)發(fa)工(gong)具(ju) Evaluation board for 54W T5 single fluorescent lamp design with voltage mode preheating using ICB2FL03G
EVALLEDICL8105F2TOBO1

電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)IC開(kai)發(fa)工(gong)具(ju)
EVALIM69D130FLEXKITTOBO1

音(yin)頻(pin) IC 開(kai)發(fa)工(gong)具(ju) The flex evaluation kit allows simple and easy evaluation of XENSIV MEMS microphone IM69D130
EVAL-2ED020I12-F2

電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)IC開(kai)發(fa)工(gong)具(ju)

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

KLMBG2JETD-B041

**eMMC 5.1 嵌(kan)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)（32GB）**，內(nei)置(zhi) NAND Flash + 存(cun)儲(chu)主(zhu)控(kong)，用(yong)來(lai)存(cun)放(fang)係(ji)統(tong)固(gu)件(jian)、操(cao)作(zuo)係(ji)統(tong)、應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)、日(ri)誌(zhi)、配(pei)置(zhi)文(wen)件(jian)；主(zhu)控(kong)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng) ECC 糾(jiu)錯(cuo)、壞(huai)塊(kuai)管(guan)理(li)、磨(mo)損(sun)均(jun)衡(heng)，SoC 隻(zhi)需(xu)要(yao)調(diao)用(yong)標(biao)準(zhun) MMC 協(xie)議(yi)讀(dou)寫(xie)，降(xiang)低(di)主(zhu)控(kong)驅(qu)動(dong)開(kai)發(fa)難(nan)度(duo)，支(zhi)持(chi) FOTA 升(sheng)級(ji)、RPMB 安(an)全(quan)分(fen)區(ou)存(cun)儲(chu)密(mi)鑰(yue)。
818017823

**50Ω 微(wei)型(xing)射(she)頻(pin)同(tong)軸(zhou)測(ce)試(shi)線(xian)纜(lan)組(zu)件(jian)**，用(yong)於(yu) PCB 射(she)頻(pin)焊(han)盤(pan) / 射(she)頻(pin)座(zuo)的(di)高(gao)頻(pin)信(xin)號(hao)轉(zhuan)接(jie)、射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)調(diao)試(shi)測(ce)試(shi)；把(ba)板(pan)載(zai)射(she)頻(pin)信(xin)號(hao)引(yin)出(chu)到(dao)頻(pin)譜(pu)儀(yi)、信(xin)號(hao)源(yuan)、網(wang)絡(lao)分(fen)析(xi)儀(yi)，用(yong)於(yu) Wi‑Fi、藍(lan)牙(ya)、GPS、Sub‑G、5G 射(she)頻(pin)模(mu)塊(kuai)的(di)射(she)頻(pin)指(zhi)標(biao)調(diao)試(shi)、產(chan)線(xian)校(jiao)準(zhun)測(ce)試(shi)。
2N7002P

N 溝(gou)道(dao)增(zeng)強(jiang)型(xing)溝(gou)槽(cao) MOS 管(guan)，**低(di)壓(ya)側(zhai)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)**；柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong) / 關(guan)斷(duan)，邏(luo)輯(ji)電(dian)平(ping)可(ke)驅(qu)動(dong)，用(yong)於(yu)小(xiao)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)通(tong)斷(duan)、繼(ji)電(dian)器(qi)驅(qu)動(dong)、高(gao)速(su)信(xin)號(hao)切(qie)換(huan)、電(dian)源(yuan)使(shi)能(neng)開(kai)關(guan)。
AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

IPS05N03LB G

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，IPS05N03LB G的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

包(bao)裝(zhuang)管(guan)件(jian)
係(ji)列(lie)OptiMOS™
零(ling)件(jian)狀(zhuang)態(tai)停(ting)產(chan)
FET 類(lei)型(xing)N 通(tong)道(dao)
技(ji)術(zhu)MOSFET（金(jin)屬(zhu)氧(yang)化(hua)物(wu)）
漏(lou)源(yuan)電(dian)壓(ya)（Vdss）30V
電(dian)流(liu) - 連(lian)續(xu)漏(lou)極(ji)（Id）（25°C 時(shi)）90A（Tc）
驅(qu)動(dong)電(dian)壓(ya)（最(zui)大(dai) Rds On，最(zui)小(xiao) Rds On）4.5V，10V
不(bu)同(tong)Id，Vgs 時(shi)的(di)Rds On（最(zui)大(dai)值(zhi)）5 毫(hao)歐(ou) @ 60A，10V
不(bu)同(tong) Id 時(shi)的(di) Vgs（th）（最(zui)大(dai)值(zhi)）2V @ 40µA
不(bu)同(tong) Vgs 時(shi)的(di)柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he)（Qg）（最(zui)大(dai)值(zhi)）25nC @ 5V
Vgs（最(zui)大(dai)值(zhi)）±20V
不(bu)同(tong) Vds 時(shi)的(di)輸(shu)入(ru)電(dian)容(rong)（Ciss）（最(zui)大(dai)值(zhi)）3200pF @ 15V
FET 功(gong)能(neng)-
功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san)（最(zui)大(dai)值(zhi)）94W（Tc）
工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo)-55°C ~ 175°C（TJ）
安(an)裝(zhuang)類(lei)型(xing)通(tong)孔(kong)
供(gong)應(ying)商(shang)器(qi)件(jian)封(feng)裝(zhuang)PG-TO251-3
封(feng)裝(zhuang)/外(wai)殼(qiao)TO-251-3 短(duan)截(jie)引(yin)線(xian)，IPak

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)