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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> IPP60R074C6XKSA1詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

IPP60R074C6XKSA1相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

IRF9540NSTRLPBF

MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
IRF3708PBF

MOSFET MOSFT 30V 62A 12mOhm 24nC
IRF7854TRPBF

MOSFET MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
IRLH7134TRPBF

MOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level
IRFR4620TRLPBF

MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
IRFSL7437PBF

MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
IRF2204PBF

MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
IRFB59N10DPBF

MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

KLMBG2JETD-B041

**eMMC 5.1 嵌(kan)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)（32GB）**，內(nei)置(zhi) NAND Flash + 存(cun)儲(chu)主(zhu)控(kong)，用(yong)來(lai)存(cun)放(fang)係(ji)統(tong)固(gu)件(jian)、操(cao)作(zuo)係(ji)統(tong)、應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)、日(ri)誌(zhi)、配(pei)置(zhi)文(wen)件(jian)；主(zhu)控(kong)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng) ECC 糾(jiu)錯(cuo)、壞(huai)塊(kuai)管(guan)理(li)、磨(mo)損(sun)均(jun)衡(heng)，SoC 隻(zhi)需(xu)要(yao)調(diao)用(yong)標(biao)準(zhun) MMC 協(xie)議(yi)讀(dou)寫(xie)，降(xiang)低(di)主(zhu)控(kong)驅(qu)動(dong)開(kai)發(fa)難(nan)度(duo)，支(zhi)持(chi) FOTA 升(sheng)級(ji)、RPMB 安(an)全(quan)分(fen)區(ou)存(cun)儲(chu)密(mi)鑰(yue)。
818017823

**50Ω 微(wei)型(xing)射(she)頻(pin)同(tong)軸(zhou)測(ce)試(shi)線(xian)纜(lan)組(zu)件(jian)**，用(yong)於(yu) PCB 射(she)頻(pin)焊(han)盤(pan) / 射(she)頻(pin)座(zuo)的(di)高(gao)頻(pin)信(xin)號(hao)轉(zhuan)接(jie)、射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)調(diao)試(shi)測(ce)試(shi)；把(ba)板(pan)載(zai)射(she)頻(pin)信(xin)號(hao)引(yin)出(chu)到(dao)頻(pin)譜(pu)儀(yi)、信(xin)號(hao)源(yuan)、網(wang)絡(lao)分(fen)析(xi)儀(yi)，用(yong)於(yu) Wi‑Fi、藍(lan)牙(ya)、GPS、Sub‑G、5G 射(she)頻(pin)模(mu)塊(kuai)的(di)射(she)頻(pin)指(zhi)標(biao)調(diao)試(shi)、產(chan)線(xian)校(jiao)準(zhun)測(ce)試(shi)。
2N7002P

N 溝(gou)道(dao)增(zeng)強(jiang)型(xing)溝(gou)槽(cao) MOS 管(guan)，**低(di)壓(ya)側(zhai)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)**；柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong) / 關(guan)斷(duan)，邏(luo)輯(ji)電(dian)平(ping)可(ke)驅(qu)動(dong)，用(yong)於(yu)小(xiao)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)通(tong)斷(duan)、繼(ji)電(dian)器(qi)驅(qu)動(dong)、高(gao)速(su)信(xin)號(hao)切(qie)換(huan)、電(dian)源(yuan)使(shi)能(neng)開(kai)關(guan)。
AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

IPP60R074C6XKSA1

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：MOSFET N-Ch 650V 57.7A TO220-3

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，IPP60R074C6XKSA1的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

製(zhi)造(zao)商(shang):Infineon
產(chan)品(pin)種(zhong)類(lei):MOSFET
RoHS:是(shi)
技(ji)術(zhu):Si
安(an)裝(zhuang)風(feng)格(ge):Through Hole
封(feng)裝(zhuang) / 箱(xiang)體(ti):TO-220-3
通(tong)道(dao)數(shuo)量(liang):1 Channel
晶(jing)體(ti)管(guan)極(ji)性(xing):N-Channel
Vds-漏(lou)源(yuan)極(ji)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya):600 V
Id-連(lian)續(xu)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu):57.7 A
Rds On-漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu):67 mOhms
Vgs th-柵(zha)源(yuan)極(ji)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya):2.5 V
Vgs - 柵(zha)極(ji)-源(yuan)極(ji)電(dian)壓(ya):20 V
Qg-柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he):138 nC
最(zui)小(xiao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):- 55 C
最(zui)大(dai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):+ 150 C
Pd-功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san):480.8 W
配(pei)置(zhi):Single
通(tong)道(dao)模(mu)式(shi):Enhancement
商(shang)標(biao)名(ming):CoolMOS
封(feng)裝(zhuang):Tube
高(gao)度(duo):15.65 mm
長(zhang)度(duo):10 mm
係(ji)列(lie):CoolMOS C6
晶(jing)體(ti)管(guan)類(lei)型(xing):1 N-Channel
寬(kuan)度(duo):4.4 mm
商(shang)標(biao):Infineon Technologies
下(xia)降(xiang)時(shi)間(jian):4 ns
產(chan)品(pin)類(lei)型(xing):MOSFET
上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian):7 ns
工(gong)廠(han)包(bao)裝(zhuang)數(shuo)量(liang):500
子(zi)類(lei)別(bie):MOSFETs
典(dian)型(xing)關(guan)閉(bi)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):56 ns
典(dian)型(xing)接(jie)通(tong)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):11 ns
零(ling)件(jian)號(hao)別(bie)名(ming):IPP60R074C6 IPP6R74C6XK SP000898652
單(shan)位(wei)重(chong)量(liang):6 g

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)