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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> IPA126N10N3 G詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

IPA126N10N3 G相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

FP10R12W1T4PBPSA1

IGBT MOD 1200V 20A 20MW
FP15R12W1T4PBPSA1

IGBT MOD 1200V 30A 20MW
FS35R12W1T7B11BOMA1

IGBT MODULE LOW POWER EASY
FP15R12W1T7B11BOMA1

IGBT MODULE LOW POWER EASY
FP10R12W1T4PB11BPSA1

IGBT MOD 1200V 20A 20MW
FS35R12W1T4BOMA1

IGBT MOD 1200V 65A 225W
FP15R12W1T4BOMA1

IGBT MOD 1200V 28A 130W
FP15R12W1T4PB11BPSA1

IGBT MOD 1200V 30A 20MW

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

KLMBG2JETD-B041

**eMMC 5.1 嵌(kan)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)（32GB）**，內(nei)置(zhi) NAND Flash + 存(cun)儲(chu)主(zhu)控(kong)，用(yong)來(lai)存(cun)放(fang)係(ji)統(tong)固(gu)件(jian)、操(cao)作(zuo)係(ji)統(tong)、應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)、日(ri)誌(zhi)、配(pei)置(zhi)文(wen)件(jian)；主(zhu)控(kong)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng) ECC 糾(jiu)錯(cuo)、壞(huai)塊(kuai)管(guan)理(li)、磨(mo)損(sun)均(jun)衡(heng)，SoC 隻(zhi)需(xu)要(yao)調(diao)用(yong)標(biao)準(zhun) MMC 協(xie)議(yi)讀(dou)寫(xie)，降(xiang)低(di)主(zhu)控(kong)驅(qu)動(dong)開(kai)發(fa)難(nan)度(duo)，支(zhi)持(chi) FOTA 升(sheng)級(ji)、RPMB 安(an)全(quan)分(fen)區(ou)存(cun)儲(chu)密(mi)鑰(yue)。
818017823

**50Ω 微(wei)型(xing)射(she)頻(pin)同(tong)軸(zhou)測(ce)試(shi)線(xian)纜(lan)組(zu)件(jian)**，用(yong)於(yu) PCB 射(she)頻(pin)焊(han)盤(pan) / 射(she)頻(pin)座(zuo)的(di)高(gao)頻(pin)信(xin)號(hao)轉(zhuan)接(jie)、射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)調(diao)試(shi)測(ce)試(shi)；把(ba)板(pan)載(zai)射(she)頻(pin)信(xin)號(hao)引(yin)出(chu)到(dao)頻(pin)譜(pu)儀(yi)、信(xin)號(hao)源(yuan)、網(wang)絡(lao)分(fen)析(xi)儀(yi)，用(yong)於(yu) Wi‑Fi、藍(lan)牙(ya)、GPS、Sub‑G、5G 射(she)頻(pin)模(mu)塊(kuai)的(di)射(she)頻(pin)指(zhi)標(biao)調(diao)試(shi)、產(chan)線(xian)校(jiao)準(zhun)測(ce)試(shi)。
2N7002P

N 溝(gou)道(dao)增(zeng)強(jiang)型(xing)溝(gou)槽(cao) MOS 管(guan)，**低(di)壓(ya)側(zhai)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)**；柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong) / 關(guan)斷(duan)，邏(luo)輯(ji)電(dian)平(ping)可(ke)驅(qu)動(dong)，用(yong)於(yu)小(xiao)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)通(tong)斷(duan)、繼(ji)電(dian)器(qi)驅(qu)動(dong)、高(gao)速(su)信(xin)號(hao)切(qie)換(huan)、電(dian)源(yuan)使(shi)能(neng)開(kai)關(guan)。
AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

IPA126N10N3 G

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，IPA126N10N3 G的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

製(zhi)造(zao)商(shang):Infineon
產(chan)品(pin)種(zhong)類(lei):MOSFET
RoHS:是(shi)
技(ji)術(zhu):Si
安(an)裝(zhuang)風(feng)格(ge):Through Hole
封(feng)裝(zhuang) / 箱(xiang)體(ti):TO-220FP-3
通(tong)道(dao)數(shuo)量(liang):1 Channel
晶(jing)體(ti)管(guan)極(ji)性(xing):N-Channel
Vds-漏(lou)源(yuan)極(ji)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya):100 V
Id-連(lian)續(xu)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu):35 A
Rds On-漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu):12.6 mOhms
Vgs - 柵(zha)極(ji)-源(yuan)極(ji)電(dian)壓(ya):20 V
Qg-柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he):9 nC
最(zui)小(xiao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):- 55 C
最(zui)大(dai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):+ 175 C
Pd-功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san):33 W
配(pei)置(zhi):Single
通(tong)道(dao)模(mu)式(shi):Enhancement
商(shang)標(biao)名(ming):OptiMOS
封(feng)裝(zhuang):Tube
高(gao)度(duo):16.15 mm
長(zhang)度(duo):10.65 mm
係(ji)列(lie):OptiMOS 3
晶(jing)體(ti)管(guan)類(lei)型(xing):1 N-Channel
寬(kuan)度(duo):4.85 mm
商(shang)標(biao):Infineon Technologies
下(xia)降(xiang)時(shi)間(jian):4 ns
產(chan)品(pin)類(lei)型(xing):MOSFET
上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian):6 ns
工(gong)廠(han)包(bao)裝(zhuang)數(shuo)量(liang):500
子(zi)類(lei)別(bie):MOSFETs
典(dian)型(xing)關(guan)閉(bi)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):20 ns
典(dian)型(xing)接(jie)通(tong)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):12 ns
零(ling)件(jian)號(hao)別(bie)名(ming):IPA126N10N3GXKSA1 IPA126N1N3GXK SP000485964
單(shan)位(wei)重(chong)量(liang):6 g

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)