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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> IPW65R095C7XKSA1詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

IPW65R095C7XKSA1相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

IRAC1168-SO8

KIT RDK DAUGHTER BOARD SO8
IRAC1168-DFET

KIT RDK DAUGHTER BOARD DFET
EVALIM69D130V01FLEXTOBO1

EVAL MICROPHONE IM69D130V01
EVALIM69D120V01FLEXTOBO1

EVAL MICROPHONE IM69D120V01
EVAL300WCCMPFCP6TOBO1

300W CCM POWER FACTOR CORRECT
EVAL2K5WCCM4PV2TOBO1

2500W CCM POWER FACTOR CORRECT
24VBATTSWITCHDEMOTOBO1

EVAL 24V ADR SWITCH
EVAL3AR2280VJZTOBO1

20W SMPS EVALUATION BOARD USING

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

KLMBG2JETD-B041

**eMMC 5.1 嵌(kan)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)（32GB）**，內(nei)置(zhi) NAND Flash + 存(cun)儲(chu)主(zhu)控(kong)，用(yong)來(lai)存(cun)放(fang)係(ji)統(tong)固(gu)件(jian)、操(cao)作(zuo)係(ji)統(tong)、應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)、日(ri)誌(zhi)、配(pei)置(zhi)文(wen)件(jian)；主(zhu)控(kong)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng) ECC 糾(jiu)錯(cuo)、壞(huai)塊(kuai)管(guan)理(li)、磨(mo)損(sun)均(jun)衡(heng)，SoC 隻(zhi)需(xu)要(yao)調(diao)用(yong)標(biao)準(zhun) MMC 協(xie)議(yi)讀(dou)寫(xie)，降(xiang)低(di)主(zhu)控(kong)驅(qu)動(dong)開(kai)發(fa)難(nan)度(duo)，支(zhi)持(chi) FOTA 升(sheng)級(ji)、RPMB 安(an)全(quan)分(fen)區(ou)存(cun)儲(chu)密(mi)鑰(yue)。
818017823

**50Ω 微(wei)型(xing)射(she)頻(pin)同(tong)軸(zhou)測(ce)試(shi)線(xian)纜(lan)組(zu)件(jian)**，用(yong)於(yu) PCB 射(she)頻(pin)焊(han)盤(pan) / 射(she)頻(pin)座(zuo)的(di)高(gao)頻(pin)信(xin)號(hao)轉(zhuan)接(jie)、射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)調(diao)試(shi)測(ce)試(shi)；把(ba)板(pan)載(zai)射(she)頻(pin)信(xin)號(hao)引(yin)出(chu)到(dao)頻(pin)譜(pu)儀(yi)、信(xin)號(hao)源(yuan)、網(wang)絡(lao)分(fen)析(xi)儀(yi)，用(yong)於(yu) Wi‑Fi、藍(lan)牙(ya)、GPS、Sub‑G、5G 射(she)頻(pin)模(mu)塊(kuai)的(di)射(she)頻(pin)指(zhi)標(biao)調(diao)試(shi)、產(chan)線(xian)校(jiao)準(zhun)測(ce)試(shi)。
2N7002P

N 溝(gou)道(dao)增(zeng)強(jiang)型(xing)溝(gou)槽(cao) MOS 管(guan)，**低(di)壓(ya)側(zhai)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)**；柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong) / 關(guan)斷(duan)，邏(luo)輯(ji)電(dian)平(ping)可(ke)驅(qu)動(dong)，用(yong)於(yu)小(xiao)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)通(tong)斷(duan)、繼(ji)電(dian)器(qi)驅(qu)動(dong)、高(gao)速(su)信(xin)號(hao)切(qie)換(huan)、電(dian)源(yuan)使(shi)能(neng)開(kai)關(guan)。
AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

IPW65R095C7XKSA1

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：MOSFET HIGH POWER_NEW

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，IPW65R095C7XKSA1的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

製(zhi)造(zao)商(shang):Infineon
產(chan)品(pin)種(zhong)類(lei):MOSFET
RoHS:是(shi)
技(ji)術(zhu):Si
安(an)裝(zhuang)風(feng)格(ge):Through Hole
封(feng)裝(zhuang) / 箱(xiang)體(ti):TO-247-3
通(tong)道(dao)數(shuo)量(liang):1 Channel
晶(jing)體(ti)管(guan)極(ji)性(xing):N-Channel
Vds-漏(lou)源(yuan)極(ji)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya):650 V
Id-連(lian)續(xu)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu):24 A
Rds On-漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu):84 mOhms
Vgs th-柵(zha)源(yuan)極(ji)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya):3 V
Vgs - 柵(zha)極(ji)-源(yuan)極(ji)電(dian)壓(ya):20 V
Qg-柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he):45 nC
最(zui)小(xiao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):- 55 C
最(zui)大(dai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):+ 150 C
Pd-功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san):128 W
配(pei)置(zhi):Single
通(tong)道(dao)模(mu)式(shi):Enhancement
商(shang)標(biao)名(ming):CoolMOS
封(feng)裝(zhuang):Tube
高(gao)度(duo):21.1 mm
長(zhang)度(duo):16.13 mm
係(ji)列(lie):CoolMOS C7
晶(jing)體(ti)管(guan)類(lei)型(xing):1 N-Channel
寬(kuan)度(duo):5.21 mm
商(shang)標(biao):Infineon Technologies
下(xia)降(xiang)時(shi)間(jian):7 ns
產(chan)品(pin)類(lei)型(xing):MOSFET
上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian):12 ns
工(gong)廠(han)包(bao)裝(zhuang)數(shuo)量(liang):240
子(zi)類(lei)別(bie):MOSFETs
典(dian)型(xing)關(guan)閉(bi)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):60 ns
典(dian)型(xing)接(jie)通(tong)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):14 ns
零(ling)件(jian)號(hao)別(bie)名(ming):IPW65R095C7 SP001080128
單(shan)位(wei)重(chong)量(liang):38 g

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)