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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> BC818K40E6327HTSA1詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

BC818K40E6327HTSA1相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

IRF6714MTRPBF

MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
IRF6637TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
IRF6722MTRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
IPAN60R180P7SXKSA1

MOSFET
IPG20N04S4L07AATMA1

MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
IRFH5004TRPBF

MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 73nC
IPI50N12S3L15AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+
IPA65R420CFDXKSA2

MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

KLMBG2JETD-B041

**eMMC 5.1 嵌(kan)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)（32GB）**，內(nei)置(zhi) NAND Flash + 存(cun)儲(chu)主(zhu)控(kong)，用(yong)來(lai)存(cun)放(fang)係(ji)統(tong)固(gu)件(jian)、操(cao)作(zuo)係(ji)統(tong)、應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)、日(ri)誌(zhi)、配(pei)置(zhi)文(wen)件(jian)；主(zhu)控(kong)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng) ECC 糾(jiu)錯(cuo)、壞(huai)塊(kuai)管(guan)理(li)、磨(mo)損(sun)均(jun)衡(heng)，SoC 隻(zhi)需(xu)要(yao)調(diao)用(yong)標(biao)準(zhun) MMC 協(xie)議(yi)讀(dou)寫(xie)，降(xiang)低(di)主(zhu)控(kong)驅(qu)動(dong)開(kai)發(fa)難(nan)度(duo)，支(zhi)持(chi) FOTA 升(sheng)級(ji)、RPMB 安(an)全(quan)分(fen)區(ou)存(cun)儲(chu)密(mi)鑰(yue)。
818017823

**50Ω 微(wei)型(xing)射(she)頻(pin)同(tong)軸(zhou)測(ce)試(shi)線(xian)纜(lan)組(zu)件(jian)**，用(yong)於(yu) PCB 射(she)頻(pin)焊(han)盤(pan) / 射(she)頻(pin)座(zuo)的(di)高(gao)頻(pin)信(xin)號(hao)轉(zhuan)接(jie)、射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)調(diao)試(shi)測(ce)試(shi)；把(ba)板(pan)載(zai)射(she)頻(pin)信(xin)號(hao)引(yin)出(chu)到(dao)頻(pin)譜(pu)儀(yi)、信(xin)號(hao)源(yuan)、網(wang)絡(lao)分(fen)析(xi)儀(yi)，用(yong)於(yu) Wi‑Fi、藍(lan)牙(ya)、GPS、Sub‑G、5G 射(she)頻(pin)模(mu)塊(kuai)的(di)射(she)頻(pin)指(zhi)標(biao)調(diao)試(shi)、產(chan)線(xian)校(jiao)準(zhun)測(ce)試(shi)。
2N7002P

N 溝(gou)道(dao)增(zeng)強(jiang)型(xing)溝(gou)槽(cao) MOS 管(guan)，**低(di)壓(ya)側(zhai)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)**；柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong) / 關(guan)斷(duan)，邏(luo)輯(ji)電(dian)平(ping)可(ke)驅(qu)動(dong)，用(yong)於(yu)小(xiao)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)通(tong)斷(duan)、繼(ji)電(dian)器(qi)驅(qu)動(dong)、高(gao)速(su)信(xin)號(hao)切(qie)換(huan)、電(dian)源(yuan)使(shi)能(neng)開(kai)關(guan)。
AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

BC818K40E6327HTSA1

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 25V 0.5A

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，BC818K40E6327HTSA1的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

製(zhi)造(zao)商(shang):Infineon
產(chan)品(pin)種(zhong)類(lei):雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT)
RoHS:是(shi)
安(an)裝(zhuang)風(feng)格(ge):SMD/SMT
封(feng)裝(zhuang) / 箱(xiang)體(ti):SOT-23-3
晶(jing)體(ti)管(guan)極(ji)性(xing):NPN
配(pei)置(zhi):Single
集(ji)電(dian)極(ji)—發(fa)射(she)極(ji)最(zui)大(dai)電(dian)壓(ya) VCEO:25 V
集(ji)電(dian)極(ji)—基(ji)極(ji)電(dian)壓(ya) VCBO:30 V
發(fa)射(she)極(ji) - 基(ji)極(ji)電(dian)壓(ya) VEBO:5 V
集(ji)電(dian)極(ji)—射(she)極(ji)飽(bao)和(hu)電(dian)壓(ya):0.7 V
最(zui)大(dai)直(zhi)流(liu)電(dian)集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu):1000 mA
增(zeng)益(yi)帶(dai)寬(kuan)產(chan)品(pin)fT:170 MHz
最(zui)小(xiao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):- 65 C
最(zui)大(dai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):+ 150 C
係(ji)列(lie):BC818
直(zhi)流(liu)電(dian)流(liu)增(zeng)益(yi) hFE 最(zui)大(dai)值(zhi):630
封(feng)裝(zhuang):Cut Tape
封(feng)裝(zhuang):MouseReel
封(feng)裝(zhuang):Reel
商(shang)標(biao):Infineon Technologies
集(ji)電(dian)極(ji)連(lian)續(xu)電(dian)流(liu):500 mA
直(zhi)流(liu)集(ji)電(dian)極(ji)/Base Gain hfe Min:250
Pd-功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san):500 mW (1/2 W)
產(chan)品(pin)類(lei)型(xing):BJTs - Bipolar Transistors
工(gong)廠(han)包(bao)裝(zhuang)數(shuo)量(liang):3000
子(zi)類(lei)別(bie):Transistors
零(ling)件(jian)號(hao)別(bie)名(ming):818K-40 BC BC818K4E6327XT E6327 SP000271908
單(shan)位(wei)重(chong)量(liang):8 mg

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)