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當前位置:  電子元器件配單  >>  相關型號  >>  BSP149 H6327詳細信息

BSP149 H6327相關型號
  • IR2304

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

  • IR3101

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 11SIP

  • IR2011

    IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

  • IR2011S

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

  • IR2011STR

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

  • IR22141SS

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP

  • IR2214SS

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP

  • IR2110-1PBF

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

熱銷型號
  • KLMBG2JETD-B041

    **eMMC 5.1 嵌入式閃存存儲芯片(32GB)**,內置 NAND Flash + 存儲主控,用來存放係統固件、操作係統、應用程序、日誌、配置文件;主控自動完成 ECC 糾錯、壞塊管理、磨損均衡,SoC 隻需要調用標準 MMC 協議讀寫,降低主控驅動開發難度,支持 FOTA 升級、RPMB 安全分區存儲密鑰。

  • 818017823

    **50Ω 微型射頻同軸測試線纜組件**,用於 PCB 射頻焊盤 / 射頻座的高頻信號轉接、射頻性能調試測試;把板載射頻信號引出到頻譜儀、信號源、網絡分析儀,用於 Wi‑Fi、藍牙、GPS、Sub‑G、5G 射頻模塊的射頻指標調試、產線校準測試。

  • 2N7002P

    N 溝道增強型溝槽 MOS 管,**低壓側電子開關**;柵極電壓控製漏源導通 / 關斷,邏輯電平可驅動,用於小電流負載通斷、繼電器驅動、高速信號切換、電源使能開關。

  • AMS1117-3.3

    線性穩壓器(LDO)

  • SGM2034-1.8YN3G/TR

    線性穩壓器(LDO)

  • 74HC595D,118

    移位寄存器

  • TLP290-4(GB-TP,E(T

    晶體管輸出光耦

  • AD7606BSTZ-RL

    ADC/DAC-專用型

圖片僅供參考,請參考產品描述

  • BSP149 H6327

  • 製造商:Infineon Technologies
  • 批號:19+
  • 描述:MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
  • PDF下載:pdf下載
  • 庫存數量:2000+

優勢價格,BSP149 H6327的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。

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詳細參數

  • 製造商:Infineon
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-223-4
  • 通道數量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
  • Id-連續漏極電流:660 mA
  • Rds On-漏源導通電阻:1 Ohms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:14 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1.8 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Depletion
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.6 mm
  • 長度:6.5 mm
  • 係列:BSP149
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:3.5 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 正向跨導 - 最小值:400 mS
  • 下降時間:21 ns
  • 產品類型:MOSFET
  • 上升時間:3.4 ns
  • 工廠包裝數量:1000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:45 ns
  • 典型接通延遲時間:5.1 ns
  • 零件號別名:BSP149H6327XTSA1 SP001058818
  • 單位重量:112 mg

其它信息

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