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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> BSZ086P03NS3 G詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

BSZ086P03NS3 G相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

F3L50R06W1E3B11BOMA1

IGBT MODULE 600V 75A 175W
FS30R06XE3BOMA1

IGBT MODULE 600V 37A 100W
FP15R12W2T4BOMA1

IGBT MOD 1200V 30A 145W
FS50R07W1E3B11ABOMA1

IGBT MODULES
F450R07W1H3B11ABOMA1

IGBT MODULES
FS15R12YT3BOMA1

IGBT MOD 1200V 25A 110W
DF80R07W1H5FPB11BPSA1

LOW POWER EASY
DF80R12W2H3_B11

IGBT MODULE VCES 1200V 160A

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

KLMBG2JETD-B041

**eMMC 5.1 嵌(kan)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)（32GB）**，內(nei)置(zhi) NAND Flash + 存(cun)儲(chu)主(zhu)控(kong)，用(yong)來(lai)存(cun)放(fang)係(ji)統(tong)固(gu)件(jian)、操(cao)作(zuo)係(ji)統(tong)、應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)、日(ri)誌(zhi)、配(pei)置(zhi)文(wen)件(jian)；主(zhu)控(kong)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng) ECC 糾(jiu)錯(cuo)、壞(huai)塊(kuai)管(guan)理(li)、磨(mo)損(sun)均(jun)衡(heng)，SoC 隻(zhi)需(xu)要(yao)調(diao)用(yong)標(biao)準(zhun) MMC 協(xie)議(yi)讀(dou)寫(xie)，降(xiang)低(di)主(zhu)控(kong)驅(qu)動(dong)開(kai)發(fa)難(nan)度(duo)，支(zhi)持(chi) FOTA 升(sheng)級(ji)、RPMB 安(an)全(quan)分(fen)區(ou)存(cun)儲(chu)密(mi)鑰(yue)。
818017823

**50Ω 微(wei)型(xing)射(she)頻(pin)同(tong)軸(zhou)測(ce)試(shi)線(xian)纜(lan)組(zu)件(jian)**，用(yong)於(yu) PCB 射(she)頻(pin)焊(han)盤(pan) / 射(she)頻(pin)座(zuo)的(di)高(gao)頻(pin)信(xin)號(hao)轉(zhuan)接(jie)、射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)調(diao)試(shi)測(ce)試(shi)；把(ba)板(pan)載(zai)射(she)頻(pin)信(xin)號(hao)引(yin)出(chu)到(dao)頻(pin)譜(pu)儀(yi)、信(xin)號(hao)源(yuan)、網(wang)絡(lao)分(fen)析(xi)儀(yi)，用(yong)於(yu) Wi‑Fi、藍(lan)牙(ya)、GPS、Sub‑G、5G 射(she)頻(pin)模(mu)塊(kuai)的(di)射(she)頻(pin)指(zhi)標(biao)調(diao)試(shi)、產(chan)線(xian)校(jiao)準(zhun)測(ce)試(shi)。
2N7002P

N 溝(gou)道(dao)增(zeng)強(jiang)型(xing)溝(gou)槽(cao) MOS 管(guan)，**低(di)壓(ya)側(zhai)電(dian)子(zi)開(kai)關(guan)**；柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong) / 關(guan)斷(duan)，邏(luo)輯(ji)電(dian)平(ping)可(ke)驅(qu)動(dong)，用(yong)於(yu)小(xiao)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)通(tong)斷(duan)、繼(ji)電(dian)器(qi)驅(qu)動(dong)、高(gao)速(su)信(xin)號(hao)切(qie)換(huan)、電(dian)源(yuan)使(shi)能(neng)開(kai)關(guan)。
AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

BSZ086P03NS3 G

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，BSZ086P03NS3 G的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

製(zhi)造(zao)商(shang):Infineon
產(chan)品(pin)種(zhong)類(lei):MOSFET
RoHS:是(shi)
技(ji)術(zhu):Si
安(an)裝(zhuang)風(feng)格(ge):SMD/SMT
封(feng)裝(zhuang) / 箱(xiang)體(ti):TSDSON-8
通(tong)道(dao)數(shuo)量(liang):1 Channel
晶(jing)體(ti)管(guan)極(ji)性(xing):P-Channel
Vds-漏(lou)源(yuan)極(ji)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya):30 V
Id-連(lian)續(xu)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu):40 A
Rds On-漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu):6.5 mOhms
Vgs th-柵(zha)源(yuan)極(ji)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya):3.1 V
Vgs - 柵(zha)極(ji)-源(yuan)極(ji)電(dian)壓(ya):25 V
Qg-柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he):57.5 nC
最(zui)小(xiao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):- 55 C
最(zui)大(dai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):+ 150 C
Pd-功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san):69 W
配(pei)置(zhi):Single
通(tong)道(dao)模(mu)式(shi):Enhancement
商(shang)標(biao)名(ming):OptiMOS
封(feng)裝(zhuang):Cut Tape
封(feng)裝(zhuang):MouseReel
封(feng)裝(zhuang):Reel
高(gao)度(duo):1.1 mm
長(zhang)度(duo):3.3 mm
係(ji)列(lie):OptiMOS P3
晶(jing)體(ti)管(guan)類(lei)型(xing):1 P-Channel
寬(kuan)度(duo):3.3 mm
商(shang)標(biao):Infineon Technologies
正(zheng)向(xiang)跨(kua)導(dao) - 最(zui)小(xiao)值(zhi):30 S
下(xia)降(xiang)時(shi)間(jian):8 ns
產(chan)品(pin)類(lei)型(xing):MOSFET
上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian):46 ns
工(gong)廠(han)包(bao)裝(zhuang)數(shuo)量(liang):5000
子(zi)類(lei)別(bie):MOSFETs
典(dian)型(xing)關(guan)閉(bi)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):35 ns
典(dian)型(xing)接(jie)通(tong)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):16 ns
零(ling)件(jian)號(hao)別(bie)名(ming):BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ86P3NS3GXT SP000473024
單(shan)位(wei)重(chong)量(liang):100 mg

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)